GaN系フォトニック結晶レーザー実現のためのMOVPE空孔形成法の検討

摘要

本稿では，青紫波長域のGaN系のフォトニック結晶レーザー実現のためのフォトニック結晶の形成法，すなわち周期的な空孔をGaN膜中に埋め込む手法について検討した結果を報告する．まず，様々な温度でのアニールによるマストランスポートを用いた空孔閉塞法を検討し，マストランスポートによる空孔の埋め込みのメカニズムおよび得られた表面状態について検討した結果を述べる．続いて，もう一つの空孔埋め込み法として，新たに，ファセット成長（｛1-101｝面の選択成長）とアニールを組み合わせた方法について検討し，前者に比べ，後者がより平坦な表面（表面粗さ0.4nm程度以下）状態を得る上で有効であることを見出した．以上より，ファセット成長およびアニール法を用いた空孔埋め込み法を用いることで，より良質の活性層を有する青紫波長域GaN系フォトニック結晶レーザーの実現が可能なると期待される．