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陆景唐;
MOS场效应晶体管;
机译:鲁棒制造和高产1.2 kV 4H-SiC VDMOS晶体管的设计考虑因素
机译:TI向FET晶体管提供低导通电阻N沟道功率Fem
机译:快速电压钳位电路,用于精确测量功率晶体管的动态导通电阻
机译:VDMOS功率晶体管的导通电阻特性
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:4H-siC功率双极结晶体管,具有极低的特定导通电阻2.9 mOmega.cm2
机译:降低导通电阻和顶部金属扩散电阻的半导体封装,应用于功率晶体管封装
机译:具有降低的导通电阻和顶级金属扩散电阻的半导体封装及其在功率晶体管封装中的应用
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