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低オン抵抗を提供 Nチャネル•パワーFem to FETトランジスタ 日本TIが発表

机译:TI向FET晶体管提供低导通电阻N沟道功率Fem

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摘要

日本テキサス•インスツルメンツは従来の60V動作のロード•スイッチと比較して90%低く、業界で最も低いオン抵抗(内部抵抗)を提供し、最終システムの電力損失の削減に役立つ、60V動作、Nチャネル•パワーFemt oFETトランジスタ製品を発表した。新製品の「CSD18541F5」は、従来のSOT-23パッケージで供給されるロード•スイッチ製品と比較して、80%小型化した1.53×0.77ミメーリトルのシリコン•ベースのパッケージで供給される。
机译:日本德州仪器(TI)比传统的60V操作的负载开关低90%,具有业界最低的导通电阻(内部电阻),并有助于减少60V操作的N通道最终系统的功耗•宣布推出Power Femt oFET晶体管产品。新的“ CSD18541F5”将采用1.53 x 0.77的基于硅片的mimelitor封装,比传统SOT-23封装提供的负载开关产品小80%。

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  • 来源
    《电波新闻》 |2016年第16946期|3-3|共1页
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
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  • 入库时间 2022-08-17 23:53:14

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