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张积之;
本征击穿;
机译:Si(100)上基于本征Y_2O_3 / SiO_2双层栅介质的MIS器件中的界面电荷陷阱
机译:通过调整基于纳米晶体的电荷陷阱闪存单元中的(ZrO_2)_(0.6)(SiO_2)_(0.4)电荷陷阱层的微结构演变来增强存储性能
机译:来自单个Si / SiO2界面陷阱的电荷泵浦电流:通过电荷泵浦方法直接观察P-b中心和基本陷阱计数
机译:通过导电原子力显微镜显微学在高压SiO {Sub} 2膜中的降解和击穿演化中的陷阱行为直接观察
机译:参见关于SiO_2中陷阱俘获电子的研究统计
机译:酸性水电化学环境中Si / SiO2阴极的介电击穿和击穿后溶解
机译:原子力显微镜测量的超薄SiO2薄膜中的击穿感应负电荷
机译:siO2中电子输运和击穿的研究
机译:在多层电荷陷阱区中具有氘化层的非易失性电荷陷阱存储器件
机译:用于非易失性数据存储的自对准电荷陷阱层,形成该电荷陷阱层的过程以及包含该电荷陷阱层的设备
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