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高文钰;
MOS场效应晶体管;
机译:GaAs调制掺杂场效应晶体管(MOSFET)中的高能中子辐照效应:阈值电压
机译:碰撞电离金属氧化物半导体器件与隧穿场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管的集成工艺
机译:单层MOS2上的快速中子辐照效应
机译:1 MeV电子对单层MOS 2 INF>场效应晶体管的辐照效应
机译:Si纳米线和基于二维MoS2的场效应晶体管中的电子传输和低频噪声表征。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:场效应晶体管:多层MOS2场效应晶体管的阈值电压控制通过十八烷基氯硅烷及其应用于由增强模式逻辑门驱动的有源矩阵量子点显示器(小7/2019)
机译:mOs结功率场效应晶体管和集成电路中的质子辐照效应
机译:静电放电(ESD)保护电路采用隧道场效应晶体管(TFET)和冲击电离MOSFET(IMOS)器件
机译:使用隧道场效应晶体管(TFET)和冲击电离MOSFET(IMOS)器件的静电放电(ESD)保护电路
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