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程祺祥;
中国有色金属学会;
砷化镓;
机译:III-V型化合物半导体中的缺陷结构:氢化物传输汽相外延生长的InGaAs和InGaAsP外延层中缺陷结构的产生和演化
机译:有机金属汽相外延生长(211)和(133)取向的(Hg,Cd)Te外延层(211)B GaAs及其表征
机译:勘误表:“‘汽相外延生长的InGaAs / InP异质外延结构中的失配应力’” [J.应用物理57,249(1985)]
机译:金属有机汽相外延生长1.3 / splμm/ m激光器的GaInNAs / GaAs量子阱的低温生长
机译:通过分子束外延生长低无序GaAs / AlGaAs异质结构,以研究二维相关电子相。
机译:外延原位SiO2钝化(100)利用TaSiOx原子层沉积工艺制备和(110)InGaAs
机译:超长无缺陷GaAs纳米线的汽液相固氢化物气相外延(VLS-HVPE)生长:从头算模拟支持中心成核
机译:汽相催化氨去除工艺的研究进展
机译:汽相外延装置及汽相外延法
机译:汽相外延的半导体衬底支持载体,外延晶圆制造设备和外延晶圆制造方法
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