注FMOS器件的可靠性研究

摘要

对注ＦＭＯＳＦＥＴ和ＣＣ４００７电路进行了〈’６０〉Ｃｏγ辐照和退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中Ｆ的引入，能明显减小ＣＣ４００７电路辐射感生阈电压的漂移和静态漏电流的增长；抵制高温贮藏引起的ＣＣ４００７电路漏电流的退化，减小辐射感生氧化物电荷和界面态在退火过程中的再生长速度。