GaAs/AlGaAsVCSEL与GaAsMISS混合集成光子开关器件的研制

摘要

该文报道了ＭＢＥ生长的ＧａＡｓ材料ＭＩＳＳ光电开关，将ＭＢＥ生长的超薄ＡｌＡｓ层氧化为Ａ〈，ｘ〉Ｏ〈，ｙ〉层，并将Ａ〈，ｘ〉Ｏ〈，ｙ〉用作ＭＩＳＳ器件的超薄半绝缘层，这一方法解决了ＭＩＳＳ器件制备的关键工艺．．．制备重复性、均匀性、稳定性好的超薄半绝缘层。