GaAs VCSEL／MISS混合集成光子开关

摘要

报道了ＭＢＥ生长的ＧａＡｓ材料ＶＣＳＥＬ与ＭＩＳＳ混合集成构成的光子开关。将ＭＢＥ生长的超薄ＡｌＡｓ层氧化为ＡｘＯｙ层用作ＭＩＳＳ器件的超薄半绝缘层，从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与ＶＣＳＥ工艺相容的问题。该集成器件除光子开关功能外，还能实现光放大功能，并可用于自由空间光互连。