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沈刊;
中国通信学会;
半导体激光器;
机译:具有改善的温度特性的InGaAs / InGaAlAs应变补偿多量子阱激光器
机译:1050nm波段InGaAs / GaAsP应变补偿单量子阱高可靠性大功率半导体激光器
机译:利用1.3μmAlGaInAs-InP多量子阱激光器的势垒应变改善温度特性
机译:1.55微米应变和应变补偿多量子阱单频激光器的设计,分析和制造技术。
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:磁场对AlGaInP多量子阱激光器的阈值电流,温度特性和输出功率的影响
机译:Ⅱ型量子阱激光器温度特性的实验与理论研究
机译:应变量子阱半导体激光器件及应变量子阱结构的制造方法
机译:压缩应变量子阱半导体激光器的外延结构和量子阱激光器
机译:具有应变量子阱和稀氮化物势垒的量子阱激光器
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