AuGeNi／TiN／Au与n-GaAs欧姆接触性能研究

摘要

该文介绍了采用TiN做阻挡层的AuGeNi／TiN／Au金属化结构与n-GaAs之间的欧姆接触特性，该方法采用电子束蒸发AuGeNi多层金属，然后采用反应溅射TiN薄膜，最后溅射Au的方式形成多层金属化系统。