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张昊翔; 王宇;
中国电子学会;
硅基GaN外延层; 透射电镜; 高分辨像分析;
机译:(Al,In)GaN / GaN层的晶格分辨环形暗场扫描透射电镜,用于以亚单层精度测量偏析
机译:GaN外延层金字塔形反转区镁偏析的原子分辨率结构分析
机译:深度分辨紫外光谱光电流-电压测量,用于分析沉积在Si上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管外延层
机译:高应变研究平面InAs外延层中的应变弛豫。分辨率透射电镜
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:对空间中应变和成分变化的空间分辨研究 (In,Ga)N / GaN外延层
机译:基于GaN外延层的高响应度UV光电导体
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译:具有防止在硅基板上形成的GaN外延层裂纹的半导体装置
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