UHV／CVD系统外延生长锗硅碳三元合金

摘要

SiGeC三元合金近年来日益成为人们研究的热点之一。碳的加人为SiGe系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。处于替代位置的碳能缓解SiGe合金的应变，同时调节其能带。该文介绍了用UHV／CVD系统生长的锗硅碳合金，并对实验结果进行了简要分析。