机译:等离子体辅助Cvd低温外延生长硅和锗
Laboratory for Nanoelectronics and Spintronks, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan;
epitaxial growth; chemical vapor deposition (cvd); si; ge; electron-cyclotron resonance (ecr) plasma; heterostructure; strain; atomic layer doping;
机译:在金属有机化学气相沉积(MOCVD)室中使用锗烷前体在硅(001)上生长锗外延膜并进行表征
机译:通过RF PECVD在175°C下在(100)取向晶体衬底上外延生长硅和锗
机译:氧化硅上的锗量子点在电感耦合等离子体CVD上的低温生长
机译:硅的低温外延生长实现了晶体硅和锗衬底上的高效异质结太阳能电池
机译:低温掺杂和未掺杂外延硅以及硅(1-x)锗(x)的生长。
机译:GaAs上的低温等离子体增强了CVD的硅外延生长:III-V / Si集成的新范例
机译:在金属有机化学气相沉积(mOCVD)室中使用锗烷前体在硅(001)上生长和表征锗外延膜