UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析

摘要

本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法,方法是非破坏的.并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品,它们都是用UHV/CVD设备生长的.其中两个样品还与X-射线双晶衍射的结果作了比较,两种方法的结果十分一致,这说明本文提出的方法是准确可靠的.这些样品用于制作SiGe/Si异质结PMOSFET,对0.5 μm沟长器件,跨导达112 r11s·mm-1.