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曹昕; 曾一平; 孔梅影; 潘量; 陈堂胜;
中国物理学会;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
MBE生长; GaAs功率; 微结构材料;
机译:MBE生长的用于微波和毫米波功率PHEMT的选择性凹槽结构
机译:高功率,单模InGaAs-GaAs-AlGaAs应变量子阱激光器,采用新的电流阻挡方案,使用MBE在低衬底温度下生长的GaAs层
机译:使用AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT的38 dBm功率放大器,用于S波段应用
机译:原子氢辅助MBE(H-MBE)在硅衬底上生长GaAs和AlGaAs用于太阳能电池
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:MBE在GaAs上生长的应变GaAsSb / GaAs QW结构的光致发光和能带排列
机译:改进的mBE硬件和技术以及镓纯度的作用 二维电子气迁移率> 35 x10 ^ 6 cm ^ 2 / Vs in 由mBE生长的alGaas / Gaas量子阱
机译:mBE生长的InGaassb-alGaassb材料系统中两步RIE制备横向耦合分布反馈激光器结构
机译:MBE生长技术,用于匹配在GaAs衬底上生长的超晶格
机译:MBE生长期间GaAs,(Al,Ga)As和其他化合物半导体中Si掺杂的控制
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