MBE低温生长GaAs抗γ剂量率性能研究

摘要

利用分子束低温生长GaAs材料的极低载流子寿命的特点，经优化用其制备了超高速模拟开关集成电路，结合其它的技术措施，该开关在9.15×10<'10>rad(Si)/s的γ剂量率辐照下，共功能正常，但仍有底宽为0.2μs、峰值幅度为2.3V（开启幅度为19℅）的轻微开启：在1.1×10<'11