ＦＩＢ辅助下ＩＣ的ＳＥＭ分析

摘要

随着集成电路尺寸的缩小和集成度的增加，迫切需要高水平的观察分析手段来显示器件结构，或在失效分析中发现器件的失效点，找出失效的原因，避免其再观。我们利用扫描电镜（ＳＥＭ）进行集成电路表面缺陷的观察，将聚焦离子束（ＦＩＢ）与扫描电镜（ＳＥＭ）相结合，并通过一些物理化学手段，建立了一种行之有效的、直观快速的ＩＣ剖面定位观察与分析方法，为失效分析和工艺监控提供了一种非常实用的手段。