首页> 中文会议>第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 >自对准、全离子注入、Poly-Si发射极工艺研究及其在超高速AD、DA中的应用

自对准、全离子注入、Poly-Si发射极工艺研究及其在超高速AD、DA中的应用

摘要

该文详细阐述一种自对准、全离子注入、Poly-Si发射极工艺的研究。该工艺已应用于超高速A/D、D/A转换器的研制中。利用该研究成果成功地开发了转换速率125-25MH〈,z〉建立时间为10ns的超高速8位视频D/A转换器SDA007。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号