沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响

摘要

采用RF反应溅射法在Si(111)、玻璃衬底上制备了具有良好C轴取向的多晶ZnO薄膜。用XRD分析了沉积条件(衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类）对样品结构的影 响。发现(1)薄膜的取向性随着衬底温度的升高而增强，超过400℃后薄膜质量开始变差；(2)工作气体中氧与氩气压比(P<,O<,2/P<,Ar>)为2:3时，薄膜取向性最好；(3)薄膜晶粒尺寸11～34nm，相同沉积条件下，单晶硅衬底样品(002)衍射峰强度减弱，半高宽无明显变化。