MOCVD生长InGaN薄膜及其离子束背散射沟道研究

摘要

采用MOCVD系统Al<,2>O<,3>为衬底在CaN膜上生长了In<,x>Ca<,1-x>N薄膜。以卢瑟福背散射／沟道(RBS/channeling)技术和光致发光(PL)技术对In<,x>Ca<,1-x>N样品进行了测试。研究表明在一定范围，降低TMIn/TEGa比，InGaN膜的生长速率增大，合金的In组分反而提高。降低生长温度，合金的In组分提高，但InCaN膜的生长速率减小。In原子的替位率在所测试的In组分范围(0.04～0.26)均在98℅以上，表明In原子易处于替位位置。InCaN薄膜的结晶品质随In组分的增大而显著下降。得到的厚度为287nm的In<,0.04>Ca<,0.96>N薄膜的RBS沟道最低产额为4.1℅。研究结果还表明InCaN的PL谱要受较多因素影响，很难准确测定In组分，而以RBS技术得到的结果是可靠的。