伽玛射线辐照对富硅氧化硅薄膜光致发光谱影响的研究

摘要

采用硅-氧化硅复合靶的射频磁控共溅射方法在p型硅衬底上淀积了富硅氧化薄膜.刚制备未经退火的薄膜中硅和氧化硅均为非晶相.光致发光PL谱中两个主峰的峰位位于710和800nm.γ射线辐照后,该两峰的强度分别增加3～5倍,面发光峰位不移动.并且,在所有样品的PL谱中都出现了一个新的位于580nm的发光峰.当对PL谱中位于710、800nm和新出现的580nm的发光峰作变温PL测量时,发现这三个发光峰的峰位均不随测量温度的升高而发生移动.本文的实验现象显示出:富硅氧化硅膜的PL来源于氧化硅中的发光中心,而不是纳米硅粒.