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纳米硅颗粒镶嵌氧化硅薄膜光致发光谱钉扎和缺陷分布研究

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摘要

采用磁控溅射法制备了纳米硅颗粒镶嵌氧化硅薄膜,测试了其光致发光谱,发现其发光强度不仅是纳米硅晶粒尺寸的函数,而且与纳米硅晶粒和二氧化硅间的比例关系有关.实验证实,钉扎现象是由于存在于纳米硅晶粒与非晶态外部介质界面间的发光中心所致,发光中心在界面处的分布并不均匀.

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来源
《西北师范大学学报：自然科学版》 |2008年第5期|30-33|共4页
作者
魏晋军; 马书懿; 孙小菁; 徐小丽;
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作者单位

西北师范大学知行学院;

西北师范大学物理与电子工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O484.41;
关键词
纳米硅薄膜; 光致发光; 缺陷分布;

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