首页> 中文会议>第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 >对N型InP注入氦离子的电特性研究

对N型InP注入氦离子的电特性研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本实验针对N型InP做氦离子注入及随后的退火,并用C-V测试方法测量样品中缺陷的电特性,测量结果显示,氦离子注入在InP中引起的损伤可以形成P型导电区域,经过一定的退火,P型导电区可以得到一定的恢复而形成一种NPN的电结构.

著录项

来源
《第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会》|2001年|70-71|共2页
会议地点成都
作者
杨占坤; 徐嘉东; 李建明; 张秀兰;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类掺杂;
关键词
InP; 氦离子注入; C-V测试; 缺陷; 半导体材料;
入库时间 2022-08-17 10:20:49

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究 [J] . 赵杰 ,刘宝钧 ,李建蒙 . 半导体学报：英文版 . 1995,第10期
2. 用正电子湮没方法研究氦离子等离子体辅助rn分子束外延InP(InGaAsP)/InP结构 [J] . 白人骥 ,赵杰 . 核技术 . 2001,第002期
3. 用正电子湮没方法研究氦离子等离子体辅助分子束外延InP(InGaAsP)/InP结构 [J] . 白人骥 ,赵杰 . 核技术 . 2000,第006期
4. 氦离子注入形成980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究(英文) [J] . 刘斌 ,张敬明 ,马骁宇 . 半导体学报：英文版 . 2003,第3期
5. Er离子注入GaP，GaAs，InP的二次离子质谱(SIMS)的研究 [J] . 陈辰嘉 ,周必忠 . 发光学报 . 1994,第001期
6. 对N型InP做氦和氖双离子注入的电特性研究 [C] . 徐嘉东 ,李建明 ,张秀兰 . 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 . 2003
7. N离子注入ZnO的p型导电机制及光电特性研究 [A] . 黄正 . 2019

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号