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徐嘉东; 杨占坤; 李建明;
中国电子学会;
离子注入; 热靶; 晶格质量; 注入损伤; 工艺技术;
机译:离子源配置及其操作参数对靶溅射和注入工艺的影响
机译:使用热C +离子注入工艺在体硅衬底中形成SiC纳米点
机译:通过混合等离子体浸没离子注入工艺获得的亚微米TiN涂层的结构研究和耐磨性
机译:无等离子体气体蚀刻工艺对离子注入工艺中受损氧化物的作用机理
机译:雷德伯格原子与附着靶和极性靶碰撞中负离子形成的比较研究。
机译:Caspofungin在重症监护单位患者中严重念珠菌药物动力学靶达靶达到的药代动力学治疗剂量靶达的影响:匍匐中研究
机译:快速上升时间等离子体浸没离子注入工艺中电子冲击波的粒子电池模拟
机译:用于半导体制造的等离子体浸没离子注入工艺。用于原位测量的LinearReentrant交叉场放大器,与数值模拟的比较和噪声机制的研究
机译:正性抗蚀剂组合物的离子注入工艺和使用该离子注入工艺的离子注入方法
机译:热投影过程,特别是通过靶的等离子体投影,溅射靶,化合物的成分,从靶获得的层以及包括基底和至少一层的组件
机译:扁平型等离子诊断设备件型等离子诊断设备,配备平面等离子诊断设备静电卡盘嵌入平面等离子体诊断系统中。 本研究是一种材料创新计划(NRF)材料创新计划(1711120490 / 2020M34A3106004),由科学和技术信息和通信部门提供支持。委托为51%)韩国国家科技研究协会(NST)研发 同盟计划(1711062007 / CAP-17-02-NFRI-01)由Kriss支持。
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