InP基功率HEMT结构材料分子束外延生长研究

摘要

本文主要从功率角度探讨了分子束外延Al<,0.48>In<,0.52>As/Ga<,0.47>In<,0.53>As/InP HEMT结构材料生长,其典型数据为M<,300K>～8400cm<'2>/V.S,2DEG≥4.5E12cm<'-2>.给出了HEMT的结构参数及定温Hall-van der Pauw法测试结果.