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基于硅衬底片上螺旋电感的研究

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摘要

本文探讨了标准CMOS工艺条件下片上螺旋电感的物理模型和各种损耗机制,采用了若干简化的规则来设计电感的尺寸,从而在硅片的面积、自谐振频率和品质因子之间找到一种较好的平衡,并对应用在2.4GHz低噪声放大器模块中的片上螺旋电感进行了模拟仿真,获得较高的Q值.

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来源
《2002海峡两岸三地无线科技研讨会》|2002年|223-225|共3页
会议地点上海
作者
邓赟; 王文骐; 吴宾; 岳喜成;
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作者单位

国家自然科学基金委员会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
CMOS; 射频集成电路; 片上螺旋电感;
入库时间 2022-08-17 10:17:00

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