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龚恒翔; 方泽波; 徐大印; 郭秋芬; 杨映虎; 王印月;
中国电子学会;
ZnO薄膜; 折射率; 堆积密度; 衬底位置; 薄膜制备; 溅射法;
机译:膜厚对射频磁控溅射法在玻璃和Al_2o_3(0001)衬底上制备的Ga掺杂Zno薄膜的结构和电性能的影响
机译:衬底位置和氧气流速对反应共溅射制备ZnO:Al薄膜性能的影响
机译:射频磁控溅射法在Al203(0001)衬底上沉积高Ga掺杂的ZnO薄膜的外延生长和表征
机译:(P73-P078)使用RF溅射法形成的Al掺杂ZnO透明导电薄膜的影响对外退火的影响
机译:薄膜晶体管应用的多晶硅/电介质/衬底材料系统:材料特性对晶体管性能和可靠性的影响。
机译:磁控溅射法制备纳米结构的ZnO / Ag薄膜对氨气检测的快速响应
机译:RF磁控溅射法在缓冲层上生长的Al掺杂ZnO薄膜的表征
机译:冶金硅衬底上的硅薄膜 - 阶段II。专题报告第3号。薄膜多晶硅太阳能电池的稳定性
机译:用于光电探测器的Al ZnO UV衬底,包括Al和ZnO和ZnO的异质结构和包括相同的UV光电探测器
机译:氧化锌(ZnO)基单晶的制造方法,ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,以及ZnO基单晶薄膜和包含该ZnO基单晶薄膜的ZnO基材料
机译:氧化锌(ZnO)基单晶纳米结构,制备ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,ZnO基单晶薄膜和ZnO基材料包含ZnO薄膜的方法
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