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150-175MHz 300W 功率VDMOS场效应晶体管

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摘要

采用梯形台阶栅结构、Mo栅电极技术、共源平衡推挽工作,研制出了工作频率在150-175MHz、脉宽650μm、占空比20﹪的条件下,输出功率大于300W、功率增益14.4dB、漏极效率大于60﹪的N沟道增强型高性能垂直双扩散场效应晶体管(VD-MOSFET).

著录项

来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|414-417|共4页
会议地点厦门
作者
邓建国; 刘英坤; 郎秀兰; 吴坚; 张颖秋; 李明月;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
场效应晶体管; 结构设计; 制造工艺;

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