首页> 中文会议>第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 >MBE InGaAs/GaAs量子点结构及其光吸收调制

MBE InGaAs/GaAs量子点结构及其光吸收调制

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

利用分子束外延技术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过变结构参数和生长参数,可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长,可用于研制8-12μm大气窗口的红外探测器.实验上观测到随着量子点超晶格结构的InGaAs层厚度增加,其红外吸收峯蓝移,而PL峯红移和半峯宽变窄.用量子点间的耦合作用随InGaAs层的厚度的增加而增强的观点对其机理给予了解释.

著录项

来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|196-199|共4页
会议地点厦门
作者
孔梅影; 曾一平; 李晋闽;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.054;
关键词
分子束外延; 光吸收; InGaAs/GaAs量子点; 超晶格结构;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. MBE InGaAs／GaAs量子点及其红外吸收波长调制 [J] . 孔梅影 ,曾一平 ,李晋闽 . 半导体学报 . 2003,第B05期
2. 基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT [J] . 苏树兵 ,徐安怀 ,刘新宇 . 半导体学报：英文版 . 2006,第6期
3. MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点 [J] . 周清 ,刘珂 ,罗子江 . 功能材料 . 2013,第008期
4. MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料 [J] . 曹昕 ,曾一平 ,孔梅影 . 半导体学报：英文版 . 2000,第9期
5. MBE生长InGaAs／GaAs应变层单量子阱激光器结构材料的研究 [J] . 林耀望 . 半导体情报 . 1994,第003期
6. MBE InGaAs/GaAs量子点及其红外吸收波长调制 [C] . 孔梅影 ,曾一平 ,李晋闽 . 第二届全国纳米技术与应用学术会议 . 2002
7. 自组织InAs/GaAs量子点的MBE生长及应变的研究 [A] . 王红亚 . 2011

MBE InGaAs/GaAs量子点结构及其光吸收调制

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅