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具有局域空穴槽结构的SOI LDMOS击穿机理

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本文通过分析具有局域空槽结构的SOI LDMOS在反偏时电荷和电场分布,指出束缚在空穴槽底部Si/SiO<,2>界面的反型层空穴是提高器件耐压的主要原因,据此提出界面电荷耐压模型,分析该结构的SOI LDMOS的击穿机理,并将解析结果与MEDICI的模拟结果进行比较,表明该模型能较好的解释该结构的击穿机理.

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来源
《中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会》|2002年|94-98|共5页
会议地点深圳
作者
郭永芳; 郭宇锋; 李肇基; 方健; 朱刚;
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作者单位

中国电工技术学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;负荷分析;
关键词
SOI LDMOS; 击穿机理; 界面电荷耐压模型; 击穿电压;

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