首页>外文会议>Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International

Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International

召开年：2000
召开地：San Jose, CA
出版时间：-

会议文集：-

会议论文

热门论文

全部论文

全选（0）

1.Analysis of evolution to and beyond quasi-breakdown in ultra-thin oxide and oxynitride

机译：分析超薄氧化物和氮氧化物中准分解的演化
- 作者：Okandan;M.;Fonash;S.J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
2.A study of implant damage induced thin oxide film expansion during photoresist dry etching

机译：光刻胶干法刻蚀过程中注入损伤导致薄膜氧化膜膨胀的研究
- 作者：Kuang-Peng Lin;Kai-Ming Ching
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
3.Analysis of detrap current due to oxide traps to improve flash memory retention

机译：分析由氧化物陷阱引起的去陷阱电流，以改善闪存的保持能力
- 作者：Yamada;R.;Mori;Y.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
4.Analysis of hot-carrier-induced degradation in MOSFETs by gate-to-drain and gate-to-substrate capacitance measurements

机译：通过栅极到漏极和栅极到衬底的电容测量来分析MOSFET中热载流子引起的退化
- 作者：Hsu;C.T.;Lau;M.M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
5.Bias-temperature degradation of pMOSFETs: mechanism and suppression

机译：pMOSFET的偏置温度降级：机理和抑制
- 作者：Makabe M.;Kubota T.;Kitano T.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
6.Charge pumping technique for the evaluation of plasma induced edge damage in shallow S/D extension thin gate oxide NMOSFETs

机译：电荷泵技术用于评估浅S / D扩展薄栅氧化物NMOSFET中等离子体引起的边缘损伤
- 作者：Chung;S.S.;Chen;S.J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
7.CMOSFET characteristics induced by moisture diffusion from inter-layer dielectric in 0.23 um DRAM technology with shallow trench isolation

机译：采用浅沟槽隔离的0.23 um DRAM技术中层间电介质的水分扩散引起的CMOSFET特性
- 作者：Sung-Kye Park;Moon-Sik Suh
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
8.Electrical probing of deep sub-micron ICs using scanning probes

机译：使用扫描探针对深亚微米IC进行电探测
- 作者：Krieg K.;Qi R.;Thomson D.;Bridges G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
9.Experimental data and statistical models for bimodal EM failures

机译：双峰EM故障的实验数据和统计模型
- 作者：Fischer A.H.;Abel A.;Lepper M.;Zitzelsberger A.E.;von Glasow A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
10.Generation of hot carriers by secondary impact ionization in deep submicron devices: model and light emission characterization

机译：深亚微米器件中二次碰撞电离产生热载流子：模型和发光特性
- 作者：Marchand;B.;Blachier;D.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
11.Hot carrier induced degradation in deep submicron MOSFETs at 100/spl deg/C

机译：深子微米MOSFET在100 / spl deg / C时热载流子引起的退化
- 作者：Li;E.;Rosenbaum;E.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
12.One time programmable drift antifuse cell reliability

机译：一次性可编程漂移反熔丝电池可靠性
- 作者：Candelier P.;Villani N.;Schoellkopf J.-P.;Mortini P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
13.Quantitative projections of reliability and performance for low-k/Cu interconnect systems

机译：低k / Cu互连系统的可靠性和性能的定量预测
- 作者：Banerjee;K.;Mehrotra;A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
14.Quantitative thermal probing of devices at sub-100 nm resolution

机译：低于100 nm分辨率的器件的定量热探测
- 作者：Li Shi;Ohmyoung Kwon;Guanghua Wu;Majumdar A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
15.Reliability studies of bent-beam electro-thermal actuators

机译：弯梁电热执行器的可靠性研究
- 作者：Long Que;Jae-Sung Park;Mo-Huang Li;Gianchandani Y.B.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
16.Role of hydrogen anneal in thin gate oxide for multi-metal-layer CMOS process

机译：氢退火在用于多金属层CMOS工艺的薄栅极氧化物中的作用
- 作者：Lee;Y.-H.;Nachman;R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
17.Single contact optical beam induced currents (SCOBIC)-a new failure analysis technique

机译：单触点光束感应电流（SCOBIC）-一种新的故障分析技术
- 作者：Chin;J.M.;Phang;J.C.H.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
18.TDDB improvement in Cu metallization under bias stress

机译：偏置应力下TDDB在铜金属化中的改进
- 作者：Noguchi J.;Ohashi N.;Yasuda J.;Jimbo T.;Yamaguchi H.;Owada N.;Takeda K.;Hinode K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
19.Temperature effect on the reliability of ZrO/sub 2/ gate dielectric deposited directly on silicon

机译：温度对直接沉积在硅上的ZrO / sub 2 /栅极电介质可靠性的影响
- 作者：Wen-Jie Qi;Nieh;R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
20.Tunneling current characteristics and oxide breakdown in P+ poly gate PFET capacitors

机译：P +多晶硅栅极PFET电容器中的隧道电流特性和氧化物击穿
- 作者：McKenna;J.M.;Wu;E.Y.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
21.Analysis of oxide breakdown mechanism occurring during ESD pulses

机译：分析ESD脉冲期间发生的氧化物击穿机理
- 作者：Leroux C.;Andreucci P.;Reimbold G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
22.Electrostatic discharge and high current pulse characterization of epitaxial-base silicon-germanium heterojunction bipolar transistors

机译：外延基硅锗异质结双极晶体管的静电放电和高电流脉冲特性
- 作者：Voldman;S.;Juliano;P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
23.Experimental analysis of gate oxide degradation-existence of neutral trap precursor, single and multiple trap-assisted-tunneling for SILC mechanism

机译：实验性分析中性陷阱前体存在的氧化硅降解，单层和多层陷阱辅助隧穿的SILC机理
- 作者：Yamada;R.;Yugami;J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
24.Lifetime prediction of IGBT modules for traction applications

机译：牵引应用IGBT模块的使用寿命预测
- 作者：Ciappa M.;Fichtner W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
25.Localizing power to ground shorts in a chips-first MCM by scanning SQUID microscopy

机译：通过扫描SQUID显微镜在芯片优先的MCM中将电源定位到接地短路
- 作者：Vanderlinde;W.E.;Cheney;M.E.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
26.MEMS reliability in a vibration environment

机译：振动环境下的MEMS可靠性
- 作者：Tanner D.M.;Walraven J.A.;Helgesen K.S.;Irwin L.W.;Gregory D.L.;Stake J.R.;Smith N.F.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
27.On-chip probes for silicon defectivity ranking and mapping

机译：片上探针，用于硅缺陷等级和制图
- 作者：Zanchi A.;Zappa F.;Ghioni M.;Morrison A.P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
28.Pulsed measurements and circuit modeling of a new breakdown mechanism of MESFETs and HEMTs

机译：MESFET和HEMT新型击穿机制的脉冲测量和电路建模
- 作者：Zanoni;E.;Meneghesso;G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
29.Quasi-breakdown in ultra-thin SiO/sub 2/ films: occurrence characterization and reliability assessment methodology

机译：超薄SiO / sub 2 /薄膜的准击穿：发生特征和可靠性评估方法
- 作者：Bruyere;S.;Vincent;E.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
30.Temperature dependence of soft breakdown and wear-out in sub-3 nm SiO/sub 2/ films

机译：亚3 nm SiO / sub 2 /膜中软击穿和磨损的温度依赖性
- 作者：Suehle;J.S.;Vogel;E.M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
31.The role of copper in electromigration: the effect of a Cu-vacancy binding energy

机译：铜在电迁移中的作用：铜-空位结合能的影响
- 作者：Tammaro;M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
32.Bias and temperature stress reliability of InGaP/GaAs HBTs

机译：InGaP / GaAs HBT的偏置和温度应力可靠性
- 作者：Rezazadeh A.A.;Bashar S.A.;Sheng H.;Amin F.A.;Cattani L.;Liou J.J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
33.Failure analysis and stress simulation in small multichip BGAs

机译：小型多芯片BAG的失效分析和应力模拟
- 作者：Moore T.;Jarvis J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
34.Investigation of ultra-thin gate oxide reliability behavior by separate characterization of soft breakdown and hard breakdown

机译：通过软击穿和硬击穿的分别表征研究超薄栅极氧化物的可靠性行为
- 作者：Pompl;T.;Wurzer;H.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
35.Electromigration lifetime enhancement for lines with multiple branches

机译：多分支线的电迁移寿命提高
- 作者：Dion;M.J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
36.Experimental evidence for voltage driven breakdown models in ultrathin gate oxides

机译：超薄栅极氧化物中电压驱动击穿模型的实验证据
- 作者：Nicollian;P.E.;Hunter;W.R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
37.Process and layout dependent substrate resistance modeling for deep sub-micron ESD protection devices

机译：用于深亚微米ESD保护器件的与工艺和布局有关的基片电阻建模
- 作者：Zhang;X.Y.;Banerjee;K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
38.Evidence for recombination at oxide defects and new SILC model

机译：氧化物缺陷复合的证据和新的SILC模型
- 作者：Ielmini D.;Spinellii A.S.;Lacaita A.L.;Ghidini G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
39.MEMS reliability in shock environments

机译：冲击环境下的MEMS可靠性
- 作者：Tanner D.M.;Walraven J.A.;Helgesen K.;Irwin L.W.;Brown F.;Smith N.F.;Masters N.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
40.The role of the spacer oxide in determining worst-case hot-carrier stress conditions for NMOS LDD devices

机译：隔离氧化物在确定NMOS LDD器件的最坏情况下的热载流子应力条件中的作用
- 作者：King;E.E.;Lacoe;R.C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
41.Detection of thin oxide (3.5 nm) dielectric degradation due to charging damage by rapid-ramp breakdown

机译：检测由于快速斜坡击穿导致的充电损坏而导致的薄氧化物（3.5 nm）介电退化
- 作者：Hook;T.B.;Harmon;D.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
42.Breakdown and degradation issues and the choice of a safe load line for power HFET operation

机译：击穿和降级问题以及为功率HFET操作选择安全负载线
- 作者：Dieci;D.;Menozzi;R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
43.Field acceleration for oxide breakdown-can an accurate anode hole injection model resolve the E vs. 1/E controversy?

机译：氧化物分解的场加速-精确的阳极空穴注入模型能否解决E对1 / E的争议？
- 作者：Alam;M.A.;Bude;J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
44.Leakage and breakdown reliability issues associated with low-k dielectrics in a dual-damascene Cu process

机译：双镶嵌铜工艺中与低k电介质相关的泄漏和击穿可靠性问题
- 作者：Tsu;R.;McPherson;J.W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
45.Neutron-induced boron fission as a major source of soft errors in deep submicron SRAM devices

机译：中子引起的硼裂变是深亚微米SRAM器件中软错误的主要来源
- 作者：Baumann;R.C.;Smith;E.B.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
46.Nontactile reliability testing of a micro optical attenuator

机译：微型光学衰减器的非触觉可靠性测试
- 作者：Rembe C.;Aschemann H.;aus der Wiesche S.;Hofer E.P.;Debeda H.;Mohr J.;Wallrabe U.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
47.A model for evaluating cumulative oxide damage from multiple plasma processes

机译：用于评估来自多个等离子体过程的累积氧化物损伤的模型
- 作者：Noguchi;K.;Matsumoto;A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
48.A new data retention mechanism after endurance stress on flash memory

机译：闪存承受压力后的新数据保留机制
- 作者：Kameyama;H.;Okuyama;Y.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
49.Anode hole injection versus hydrogen release: the mechanism for gate oxide breakdown

机译：阳极空穴注入与氢释放：栅极氧化物击穿的机理
- 作者：Wu;J.;Rosenbaum;E.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
50.Channel-width dependent hot-carrier degradation of thin-gate pMOSFETs

机译：取决于栅极宽度的薄栅极pMOSFET的热载流子退化
- 作者：Lee;Y.-H.;Wu;K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
51.Effect of Ti insertion between Cu and TiN layers on electromigration reliability in Cu/(Ti)/TiN/Ti layered damascene interconnects

机译：Cu / TiN层之间插入Ti对Cu /（Ti）/ TiN / Ti层镶嵌互连中电迁移可靠性的影响
- 作者：Abe;K.;Tokitoh;S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
52.Effect of W coating on microengine performance

机译：钨涂层对微发动机性能的影响
- 作者：Mani S.S.;Fleming J.G.;Walraven J.A.;Sniegowski J.J.;se Beer M.P.;Irwin L.W.;Tanner D.M.;LaVan D.A.;Dugger M.T.;Jakubczak J.;Miller W.M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
53.ESD robustness of smart-power protection structures evaluated by means of HBM and TLP tests

机译：通过HBM和TLP测试评估的智能电源保护结构的ESD鲁棒性
- 作者：Meneghesso;G.;Santirosi;S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
54.High performance deep-submicron n-MOSFETs by nitrogen implantation and in-situ HF vapor clean

机译：通过氮注入和原位HF蒸气清洁的高性能深亚微米n-MOSFET
- 作者：Jiann Heng Chen;Tan Fu Lei
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
55.Hot carrier reliability of lateral DMOS transistors

机译：横向DMOS晶体管的热载流子可靠性
- 作者：ODonovan V.;Whiston S.;Deignan A.;Chleirigh C.N.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
56.Improved reliability prediction through reduced-stress temperature cycling

机译：通过降低应力温度循环改善可靠性预测
- 作者：Cory;A.R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
57.Microanalysis of VLSI interconnect failure modes under short-pulse stress conditions

机译：短脉冲应力条件下VLSI互连故障模式的微观分析
- 作者：Banerjee;K.;Dae-Yong Kim
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
58.Multi parameter method for yield analysis and reliability assessment

机译：用于产量分析和可靠性评估的多参数方法
- 作者：Mitnick;Y.;Lisenker;B.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
59.Reliability assessment through defect based testing

机译：通过基于缺陷的测试进行可靠性评估
- 作者：Lisenker B.;Mitnick Y.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
60.Reliability characterization of thermal micro-structures implemented on 0.8 /spl mu/m CMOS chips

机译：在0.8 / spl mu / m CMOS芯片上实现的热微结构的可靠性表征
- 作者：Sheng;L.Y.;de Tandt;C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
61.Reliability of optical fiber Bragg grating sensors at elevated temperature

机译：高温光纤布拉格光栅传感器的可靠性
- 作者：Sennhauser;U.;Frank;A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
62.Short and long-term stability problems of Hall plates in plastic packages

机译：塑料包装中霍尔板的短期和长期稳定性问题
- 作者：Manic;D.;Petr;J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
63.Silicon technology directions in the new millennium

机译：新千年的硅技术发展方向
- 作者：Ning T.H.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
64.Simulation and experimental study of temperature distribution during ESD stress in smart-power technology ESD protection structures

机译：智能电源技术ESD保护结构中ESD应力时温度分布的仿真和实验研究
- 作者：Esmark;K.;Furbock;C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
65.Transmission line model testing of top-gate amorphous silicon thin film transistors

机译：顶栅非晶硅薄膜晶体管的传输线模型测试
- 作者：Tosic;N.;Kuper;F.G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
66.Trends in silicon germanium BiCMOS integration and reliability

机译：硅锗BiCMOS集成度和可靠性的趋势
- 作者：Dunn J.;Harame D.;St. Onge S.;Joseph A.;Feilchenfeld N.;Watson K.;Subbanna S.;Freeman G.;Voldman S.;Ahlgren D.;Johnson R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
67.Conduction processes in Cu/low-K interconnection

机译：Cu /低K互连中的导电过程
- 作者：Bersuker G.;Blaschke V.;Choi S.;Wick D.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年
68.Early stage hot carrier degradation of state-of-the-art LDD N-MOSFETs

机译：最新的LDD N-MOSFET的早期热载流子退化
- 作者：Manhas;S.K.;de Souza;M.M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》 | 2000年