锂磷氧氮(LIPON)离子导体薄膜的脉冲激光沉积制备

摘要

为了研制快锂离子传导的薄膜电解质,论文首次在N<,2>环境下,采用355nm脉冲激光烧蚀Li<,3>PO<,4>靶的方法,成功地制备了具有快Li离子导体特性的LIPON薄膜.FTIR和XPS的测量表明了在LIPON薄膜中N的插入特征.Al/LIPON/Al结构的交流阻抗谱为单相离子导体谱,由脉冲激光沉积(PLD)法在N<,2>压力30Pa时制备LIPON薄膜的室温导电率为1.4×10<'-6>S/cm.沉积LIPON薄膜的离子导电率与PLD的条件有关,N<,2>气压大,沉积LIPON薄膜中N含量多,离子导电率高.在LIPON薄膜中N-(P<,3>)结构的形成可能对高Li<'+>传导性能起主要作用.