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马春雨; 李智; 陈充林; 张庆瑜;
中国真空学会;
高k栅介质; MOSFET; CVD; PVD; 化学气相沉积; 物理气相沉积;
机译:用于有机-无机薄膜晶体管栅介质的高k有机-无机薄膜的制备研究
机译:用于完全透明的含水前体的高氟化聚酰亚胺栅电介质衍生的Zn氧化物薄膜晶体管
机译:高k栅介质:低压下在Si上生长非晶态Ta / La2O3薄膜
机译:在薄膜中氧气过量氧气的高k电介质薄膜和栅电极之间的界面完整性的劣化
机译:高k HfO2栅介质的射频溅射ZnO薄膜晶体管制造条件的优化。
机译:高κ栅介质的最终定标:高κ或界面层清除?
机译:高κHfLaON作为栅介质的高性能并五苯薄膜晶体管
机译:推动高Kappa电介质的材料限制,用于超过si CmOs等的科学/技术的高载流子迁移率半导体。
机译:高k栅介质的半导体结构俘获杂质氧以及形成结构的方法(高k栅介质的捕获金属堆)
机译:用于在高k介电薄膜上沉积金属栅并改善高k介电膜与金属栅界面的基质处理系统
机译:高k栅介质/金属栅的栅堆叠结构刻蚀后去除聚合物的方法
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