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AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究

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采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜.采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜微图形.较好地解决了AlN薄膜制备与加工中存在的关键问题,为高品质硅基AlN薄膜滤波器的实现奠定了良好的工艺基础.

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来源
《第七届"测量与控制在资源节约、环境保护中的应用"学术会议》|2003年|239-240|共2页
会议地点沈阳
作者
于毅; 赵宏锦; 任天令; 刘理天;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜技术;
关键词
氮化铝薄膜; 直流磁控反应溅射; 择优取向; 刻蚀工艺;

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