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于毅; 赵宏锦; 任天令; 刘理天;
中国仪器仪表学会;
氮化铝薄膜; 表面形貌; 薄膜成分; 磁控反应溅射;
机译:300到900摄氏度之间单晶Ti2AlN薄膜的氧化:表面分析的视角
机译:直流反应溅射AlN薄膜的光学和表面分析
机译:通过射频磁控溅射在不同的硅基衬底上沉积的AlN薄膜
机译:硅基板上AlN薄膜的压电特性的高级测定
机译:N合金化的AlN薄膜:结构,压电和磁性。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:300至900℃的单晶Ti2Aln薄膜的氧化:表面分析的透视图
机译:基于具有倾斜c轴取向的alN,ZnO和GaN薄膜的双模薄膜体声波谐振器(FBaR)
机译:用于沉积压电薄膜的ALN ALN方法,该方法是ALN的压电薄膜
机译:用于形成涂料型无机二氧化硅基薄膜的组合物,使用该组合物的涂料型无机二氧化硅基薄膜以及具有该薄膜的电子成分
机译:用AlN AlN沉积压电薄膜和AlN的方法
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