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谢自力; 张荣; 修向前; 毕朝霞; 沈波; 韩平; 朱顺明; 顾书林; 施毅; 郑有炓;
中国金属学会;
InN材料; 半导体材料; 生长技术; 材料特性;
机译:收缩:Patel,C.和Husairi,M. A.(2018),在发酵时代的公司边界中坚定的适应,普促和顺序对比和顺序对比。 J Prod Inn Innon Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Innong Manag,35:330-349。 DOI:10.1111 / JPIM.12409
机译:金属有机气相外延法制备InN薄膜的超导和混合态特性
机译:倾斜沉积溅射法制备InN薄膜的电致变色现象的响应特性
机译:通过溅射在各种AlN模板上制备的超薄InN层的基本特性
机译:Meanchin g gengenkankei:Gende r,inn cy,和shojo man的in kons mp yon in inte p lo s c inn旅馆。
机译:斜角沉积制备ZnO / OAD-InN / PbPc混合太阳能电池及其特性
机译:alGaN-GaN-InN高电子迁移率晶体管的制备
机译:具有INN量子点覆盖层的氮化物发光器件,能够通过改善欧姆特性来降低正向驱动电压
机译:通过使用能够形成单Inn纳米合金而无需额外切割的Au催化层来生长Inn纳米线的方法
机译:(+/-)3-(3,4-二氯苯基)-2-二甲基氨基-2-甲基丙烷-1-OL或西兰木胺(INN)的制备及其中间体的制备方法
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