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曹凌霞; 李玉峰;
中国宇航学会;
InSb; X射线双晶衍射半峰宽; 损伤层; 红外探测器;
机译:拉曼光谱研究InSb(100)表面Ar离子束刻蚀引起的损伤
机译:化学机械抛光的InSb(100)和InSb(111)B衬底上同质外延层的分子,束外延和形态研究
机译:GaSb / Si(111)-√3×√3-Ga表面相上InGaSb层异质外延膜上InSb沟道层的生长特性
机译:MeV C〜+和C_2〜+离子对InSb(111)的辐射损伤和表面改性
机译:InAs / GaInSb和InAsN / GaInSb应变层超晶格带隙的理论模拟。
机译:GaAs(001)上生长的高质量100 nm厚InSb膜具有InxAl1-xSb连续渐变缓冲层的基板
机译:第一Insb层沉积条件对两步生长法制备的n型Insb薄膜电性能的影响Insb双层膜
机译:Insb和Inas(sub 0.15)sb(sub 0.85)/ Insb应变层超晶格的氯反应离子束蚀刻。
机译:用于在铸造工具的陶瓷表面上制备保护层的涂料,陶瓷表面铸造工具,用于在陶瓷表面上制备保护层的方法以及用于固化保护层的损伤的方法
机译:通过在半导体本体的表面上形成损伤层然后通过所述损伤层合金化来制造半导体器件的方法
机译:InSB半导体晶片表面处理层变薄的消除方法
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