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薛松; 韩彦军; 郭文平; 孙长征; 郝智彪; 罗毅;
中国有色金属学会;
P-GaN; 欧姆接触特性; 评价标准; X射线光电子能谱; 化学组分;
机译:通过与p-GaN形成出色的欧姆接触来增强n-ZnO / p-GaN异质结发光二极管的性能
机译:碳和氧污染物在PD / P-GaN界面对其欧姆接触特性的显着影响
机译:使用Moox / Al对P-GaN的欧姆接触的示范以及用于基于AlGaN的Duv-LED的反射电极的提议
机译:飞秒激光辐照对晶体的改性对欧姆接触p-GaN的影响
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:在p-GaN上两步沉积Al掺杂的ZnO以形成欧姆接触
机译:通过降低溅射功率,低电阻Ga掺杂的ZnO欧姆接触P-GaN
机译:通过控制mg的活化,形成与mOCVD生长的p-GaN的欧姆接触
机译:制备透明欧姆接触结构BeO / Au / BeO / p-GaN的方法
机译:p-GaN半导体欧姆接触的透明电极膜
机译:制造p-gan羟基电极的方法和由其制造的p-gan羟基电极
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