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HgCdTe薄膜的MOVPE掺杂生长

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碲镉汞(MCT)薄膜是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是目前制作高性能IRFPRs的最好材料.本文重点研究碲镉汞薄膜的金属有机气相外延掺杂生长的工艺条件.

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来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|99-99|共1页
会议地点牡丹江
作者
宋炳文; 杨玉林; 李艳辉; 李全保; 姬荣斌;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
碲镉汞薄膜; MOVPE; 掺杂生长; MO源;

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