机译:氮掺杂对Movpe生长的Zno薄膜的影响
School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA;
a1. doping; a3. metalorganic vapor phase epitaxy; b1. oxides; b1. zinc compounds; b2. semiconducting Ⅱ-Ⅵ materials;
机译:掺杂Ga的ZnO透明导电薄膜上生长的ZnO纳米线的表征:掺杂Ga的ZnO薄膜的沉积温度的影响
机译:ZnO缓冲层对脉冲激光沉积在蓝宝石上生长的磷掺杂ZnO薄膜性能的影响
机译:掺杂浓度对在白云母云母衬底上生长的溶胶凝胶In掺杂ZnO薄膜的结构和光学性能的影响
机译:直流磁控溅射制备二氧化钛掺杂的氧化锌(ZNO:TI)和镓掺杂的氧化锌(ZNO:GA)薄膜的退火效应
机译:使用不平衡磁控溅射制造适用于薄膜晶体管的掺镓ZNO薄膜。
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:掺杂浓度对由化学浴沉积法生长的内在N型ZnO(I-ZnO)和(Cu,Na和K)掺杂P型ZnO薄膜的光学和电性能的影响