首页> 中文会议>第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 >1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL研究

1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文通过对1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL结构优化,采用直接接触结构研制出了特性得到改善的1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL.激光器室温下的阈值电流为2mA,斜效率为0.12mW/mA,激光波长为1285.5nm,边模抑制比为34dB,峰值单模光功率为0.65mW,激光器的串联电阻为196Ω,6mA下的边模抑制比为41dB.

著录项

来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|66-69|共4页
会议地点大连
作者
沈坤; 岳爱文; 王任凡;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体激光器;
关键词
GaInNAs; 垂直腔面发射激光器; 结构优化; 半导体激光器;
入库时间 2022-08-17 11:03:24

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱垂直腔面发射激光器的仿真研究 [J] . 何斌太 ,刘国军 ,魏志鹏 . 长春理工大学学报（自然科学版） . 2014,第006期
2. 1.3～1.55μm 光通信用VCSEL的研究进展 [J] . 毛容伟 ,左玉华 ,成步文 . 光子技术 . 2005,第001期
3. 1.3μm InGaAsSb／GaAsSb 量子阱激光器有源区结构设计 [J] . 何斌太 ,刘国军 ,魏志鹏 . 激光与红外 . 2015,第005期
4. In0.2 Ga0.8 As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3 μmInAs/GaAs自组织量子点 [J] . 方志丹 ,龚政 ,苗振华 . 红外与毫米波学报 . 2005,第005期
5. 掩埋隧道结的研制及其在1.3μm VCSEL结构中的应用 [J] . 吴惠桢 ,刘成 ,劳燕锋 . 江西科学 . 2005,第005期
6. GaAs基1.3微米高性能InAs量子点激光器研究 [C] . 杨涛 ,季海铭 ,杨晓光 . 第十届全国分子束外延学术会议 . 2013
7. 1.3-μm InAs/GaAs量子点激光器的材料外延和工艺设计 [A] . 苏向斌 . 2018

1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅