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大功率倒装结构GaN LED P电极研究

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摘要

从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni/Au/Ag,ITO/Ag等多种倒装结构P电极金属体系进行分析比较,给出了实现倒装结构大功率GaN LED P电极的多种设计方案.指出Ni/Au金属化体系在大功率LED应用中存在的热稳定性问题及Ru,Ir等新型金属体系实现GaN P电极接触的潜在优势.

著录项

来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|374-378|共5页
会议地点大连
作者
伊晓燕; 马龙; 郭金霞; 王良臣; 王国宏; 李晋闽;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8;
关键词
倒装结构; 接触电阻; GaN; 发光二极管;
入库时间 2022-08-17 11:03:26

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