一个3位flash ADC核的设计

摘要

本文用CMOS反相器作比较器设计了一个3位的高速低功率flash ADC核.该ADC核可以应用到分级型和流水线型结构的ADC中实现更高的转换位数。该3位ADC核采用Choudhury等人提出的编码方案。解决了高速ADC的编码电路问题。采用SMIC的0.35um/3.3CMOS 工艺模型,用Candence软件进行仿真,该3位ADC速度高达2Gsps,在该速度下具有0.56mW的低功率。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号