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一步共蒸发法低温制备CIGS薄膜的研究

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采用Cu、In、Ga、Se一步共蒸发法低温制备CIGS薄膜.XRD分析表明一步共蒸发法制备的CIGS薄膜基本消除了(In,Ga)2Se3相.霍耳效应分析表明薄膜在不产生CuSe时,载流子浓度小于1016/cm3.将该工艺应用于聚酰亚胺衬底,制备的n-ZnO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo结构的太阳电池转换效率达到5.88﹪.

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来源
《第九届中国太阳能光伏会议》|2006年|297-300|共4页
会议地点成都
作者
王春婧; 何青; 张力; 施成营; 赵久成; 孙云;
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作者单位

中国可再生能源学会;

四川大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.42;TN304.055;
关键词
铜铟镓硒薄膜; 转换效率; 一步共蒸发法; 霍耳效应; 太阳电池;

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