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GeF4流量对PECVD法制备微晶硅锗材料特性的影响

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实验中采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法,以GeF4+Si2H6+H2作为反应气体,改变GeFe气体流量,在250℃～300℃的普通玻璃衬底上制备出不同Ge含量的μc-SiGe材料.通过Raman和XRD研究材料的结晶性,CPM法测试材料的光学吸收特性,并且结合光/暗电导等测试结果综合分析了材料的结构特性、光学特性、电学特性等与GeF4气体流量之间的关系.

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来源
《第九届中国太阳能光伏会议》|2006年|663-666|共4页
会议地点成都
作者
胡增鑫; 张建军; 谷士斌; 河北工业大学信息工程学院; 孙健; 赵颖; 耿新华;
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作者单位

中国可再生能源学会;

四川大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;TM914.42;
关键词
微晶硅锗; 薄膜太阳电池; 化学气相沉积; 光学吸收特性; 电学特性;

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