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声明
第一章绪论
§1.1研究背景
§1.1.1太阳能电池研究意义
§1.1.2硅基薄膜太阳电池在光伏中的地位
§1.1.3硅锗薄膜材料和电池的研究现状
§1.2 p型微晶硅锗薄膜材料研究的意义
§1.3研究课题来源
§1.4本论文的目标和组织结构
第二章 VHF-PECVD技术制备材料的物理及试验基础
§2.1薄膜生长的物理基础
§2.1.1等离子体概述
§2.1.2等离子体增强化学气相沉积
§2.1.3沉积参数对微晶薄膜的影响
§2.2沉积系统简介
§2.2.1甚高频等离子体的特点
§2.2.2沉积系统的试验装置
§2.2.3沉积系统的主要技术指标
§2.3本章小结
第三章材料的特性表征及沉积过程中的原位诊断
§3.1材料测试
§3.1.1薄膜厚度的测试
§3.1.2材料电导、激活能的测量原理
§3.1.3透过率的测试
§3.1.4拉曼散射光谱
§3.1.5霍尔测试
§3.1.6 X射线荧光光谱测试
§3.2光发射谱测量的基本原理与实验装置
§3.3本章小结
第四章p-μc-SiGe:H材料的研究
§4.1引言
§4.2试验过程描述
§4.3 GeF4浓度对材料特性的影响
§4.3.1 GeF4浓度对材料中锗含量的影响
§4.3.2 GeF4浓度对材料结构特性的影响
§4.3.3 GeF4浓度对材料电学特性的影响
§4.4氢稀释及掺杂浓度对材料特性的影响
§4.4.1氢稀释对材料特性的影响
§4.4.2掺杂浓度对材料特性的影响
§4.5 其它沉积参数对材料特性的影响
§4.5.1沉积厚度对材料特性的影响
§4.5.2反应气压对材料特性的影响
§4.5.3 VHF功率对材料特性的影响
§4.6提高材料透过的研究
§4.7 本章小结
第五章 制备p-μc-SiGe:H材料的等离子体光发射谱研究
§5.1 引言
§5.2 p-μc-SiGe与p-μc-Si等离子体光发射谱比较
§5.3工艺参数对p-μc-SiGe:H等离子体光发射谱的影响
§5.3.1氢稀释率对光发射谱的影响
§5.3.2 VHF功率对光发射谱的影响
§5.3.3反应气压对光发射谱的影响
§5.3.4衬底温反对光发射谱的影响
§5.4本章小结
第六章总结和展望
§6.1论文总结
§6.2展望
参考文献
致谢
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果