不同基底温度溅射生长Ge/Si(100)2×1薄膜的分子动力学研究

摘要

通过构建不同温度Si(100)2×1基底下入射生长锗薄膜模型,采用分子动力学模拟的方法,运用双体分布函数与近邻配位数及原子轨迹法对生长过程及结果进行分析讨论.模拟发现,不同温度下重构衬底所受的破坏程度不同,而重构衬底的结构影响了锗的异质外延生长的优劣.同时发现,生长第二层锗过程对衬底影响最大,是实现第一层锗外延生长的关键阶段.