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余春; 陆皓; 陈俊梅;
国务院学位办;
教育部;
集成电路; 互连引线; 电迁移抑制; 可靠性分析;
机译:热对Al / SiO_2,Cu / SiO_2和Cu / low-K互连系统的电迁移性能的影响
机译:在聚合物基板上覆盖100μm厚芯片的高台阶覆盖率的Cu侧向互连-引线键合的另一种方法
机译:电迁移引起的Al(cu)互连中的塑性变形并通过同步加速器多色X射线微衍射研究
机译:Cu(Mn)合金种子互连的电迁移可扩展性,并了解基本面
机译:Al(Cu)互连中电迁移可靠性的研究。
机译:通过原位MOF衍生的CNT组装的八面体碳封装的Cu3P / Cu异质结构用于优异的锂存储:通过实验实现和第一性原理计算进行研究
机译:在钝化al(0.5wt%Cu)互连中电迁移过程中沉淀和塑性变形之间的耦合
机译:Cu互连中的电迁移诱导塑性和织构
机译:用于CU互连的电迁移壁垒
机译:晶界阻挡可改善CU互连中的应力迁移和电迁移
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