PECVD法低温沉积高阻隔SiOx薄膜

摘要

根据磁场对带电粒子的约束原理，本文采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)技术借助于磁场约束电子以提高气体分子的离解率达到提高薄膜沉积速率的目的。在实验中以六甲基二硅氧烷和氧气的混合气体来沉积氧化硅薄膜。通过变化放电功率和放电时间来研究薄膜的结构和阻隔性的关系。采用红外光谱研究沉积薄膜的结构成分，测试结果表明薄膜成分主要为二氧化硅。采用透氧分析仪（OTR）来测量薄膜的阻隔性能，OTR 结果表明聚酯有机基材上沉积氧化硅薄膜后阻隔性能大大提高。阻隔性从原膜的135cc/m2.day 降低至0.349 cc/m2.day。同时SEM 和 AFM 表面形貌分析表明了薄膜的生长是以柱状方式生长，氧化硅层的结构为迷津结构并含有一定的缺陷，这可能是导致透氧透气的主要原因。